bc846s ... bc849s bc846s ... bc849s smd general purpose dual npn transistors smd universal-npn-doppeltransistoren i c = 100 ma h fe ~ 290 t jmax = 150c v ceo = 30...65 v p tot = 250 mw version 2016-04-13 sot-363 t1: e1 = 1, c1 = 6, b1 = 2 t2: e2 = 4, c2 = 3, b2 = 5 dimensions - ma?e [mm] typical applications signal processing, switching, amplification commercial grade 1 ) typische anwendungen signalverarbeitung, schalten, verst?rken standardausfhrung 1 ) features two transistors in one package general purpose compliant to rohs, reach, conflict minerals 1 ) besonderheiten zwei transistoren in einem geh?use universell anwendbar konform zu rohs, reach, konfliktmineralien 1 mechanical data 1 ) mechanische daten 1 ) taped and reeled 3000 / 7 gegurtet auf rolle weight approx. 0.01 g gewicht ca. case material ul 94v-0 geh?usematerial solder & assembly conditions 260c/10s l?t- und einbaubedingungen msl = 1 maximum ratings (t a = 25c) grenzwerte (t a = 25c) per transistor C pro transistor bc846s BC847S bc848s bc849s collector-emitter-volt. C kollektor-emitter-spannung b open v ceo 65 v 45 v 30 v collector-base-voltage C kollektor-basis-spannung e open v cbo 80 v 50 v 30 v emitter-base-voltage C emitter-basis-spannung c open v ebo 6 v 5 v power dissipation C verlustleistung p tot 250 mw 2 ) collector current C kollektorstrom (dc) i c 100 ma peak collector current C kollektor-spitzenstrom i cm 200 ma junction/storage temperature C sperrschicht-/lagerungstemperatur t j/s -55...+150c characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) per transistor C pro transistor min. typ. max. dc current gain C kollektor-basis-stromverh?ltnis v ce = 5 v, i c = 2 ma h fe 200 C 450 collector-emitter saturation voltage C kollektor-s?ttigungsspannung 3 ) i c = 10 ma, i b = 0.5 ma i c = 100 ma, i b = 5 ma v cesat v cesat C C C C 250 mv 650 mv base-emitter-voltage C basis-emitter-spannung 3 ) v ce = 5 v, i c = 2 ma v ce = 5 v, i c = 10 ma v be v be 580 mv C C C 700 mv 770 mv 1 please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book bitte beachten sie die detaillierten hinweise auf unserer internetseite bzw. am anfang des datenbuches 2 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 3 tested with pulses t p = 300 s, duty cycle 2% C gemessen mit impulsen t p = 300 s, schaltverh?ltnis 2% ? diotec semiconductor ag http://www.diotec.com/ 1 pb e l v w e e e r o h s 2.4 2 x 0.65 5 6 4 1 . 2 5 0 . 1 0.9 0.1 2 0.1 2 . 1 0 . 1 type code 3 2 1 t2 t1 5 6 4 3 2 1
bc846s ... bc849s characteristics (t j = 25c) kennwerte (t j = 25c) per transistor C pro transistor min. typ. max. collector-base cutoff current C kollektor-basis-reststrom v cb = 30 v, (e open) i cbo C C 15 na emitter-base cutoff current C emitter-basis-reststrom v eb = 5 v, (c open) i ebo C C 100 na gain-bandwidth product C transitfrequenz v ce = 5 v, i c = 10 ma, f = 100 mhz f t 100 mhz C C collector-base capacitance C kollektor-basis-kapazit?t v cb = 10 v, i e =i e = 0, f = 1 mhz c cbo C C 4.5 pf thermal resistance junction to ambient air w?rmewiderstand sperrschicht C umgebende luft r tha < 420 k/w 1 ) recommended complementary pnp transistors empfohlene komplement?re pnp-transistoren bc856s ... bc859s disclaimer: see data book page 2 or website haftungssauschluss: siehe datenbuch seite 2 oder internet 1 mounted on p.c. board with 3 mm 2 copper pad at each terminal montage auf leiterplatte mit 3 mm 2 kupferbelag (l?tpad) an jedem anschluss 2 http://www.diotec.com/ ? diotec semiconductor ag [%] p tot 120 100 80 60 40 20 0 [c] t a 150 100 50 0 power dissipation versus ambient temperature ) verlustleistung in abh. von d. umgebungstemp. ) 1 1
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